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中国科学院反式钙钛矿太阳能电池研究获进展（图）
钙钛矿 太阳能电池 器件
2025/1/5
尽管钙钛矿太阳能电池功率转换效率取得进展，但器件不稳定性仍是其商业化应用的障碍之一。这种不稳定性源于卤素离子尤其是碘离子（I⁻）的迁移。在光照和热应力作用下，I⁻发生迁移并转化为I₂，导致不可逆的降解和性能损失。因此，抑制钙钛矿太阳能电池器件I⁻迁移至关重要
中国科学院宁波材料所在有机自旋电子学领域取得进展（图）
有机 电子 器件
2025/1/16
作为自旋电子学的一个新兴分支，有机自旋电子学器件具有成本低、可溶液加工、重量轻、可化学裁剪等特点，它将有机分子独特的优点与自旋调控相结合，在带来新材料、新架构和新机制的同时，也为下一代高性能量子器件提供了新的研发路线。对自旋界面进行设计和优化是提高有机自旋阀器件性能的一个重要技术手段。在现阶段，调控自旋界面的主要方法是诸如化学工程、改变有机分子的种类等非原位技术，而对于自旋界面的原位、非破坏性调控...
中国科学院上海分院宁波材料所在有机自旋电子学领域取得进展（图）
材料 有机 电子
2025/1/11
作为自旋电子学的一个新兴分支，有机自旋电子学器件具有成本低、可溶液加工、重量轻、可化学裁剪等特点，它将有机分子独特的优点与自旋调控相结合，在带来新材料、新架构和新机制的同时，也为下一代高性能量子器件提供了新的研发路线。对自旋界面进行设计和优化是提高有机自旋阀器件性能的一个重要技术手段。在现阶段，调控自旋界面的主要方法是诸如化学工程、改变有机分子的种类等非原位技术，而对于自旋界面的原位、非破坏性调控...
中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM：全范德华超表面手性依赖激子光源（图）
张兴旺 激子 器件 纳米
2025/1/16
单层过渡金属硫化物(TMD)由于具备室温稳定激子，所以在激子发光器件方面有着广泛的应用前景。由于其表面无悬挂键，因此易于与其他材料所构成的纳米光学结构进行无键合的范德华异质集成。另一方面，多层TMD由于层间耦合效应弱，其紧束缚的层内激子使得即便在远大于激子跃迁波长处也具有较高的折射率(n> 4)。这种独特的高折射率特性有利于获得传统介电材料难以实现的纳米尺度光场强束缚。然而与单层TMD不同，多层T...
中国科学院微电子研究所基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展（图）
复合 电子 器件
2025/1/14
2024年12月20日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控，有望构筑未来实用化的自旋量子器件，是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。笼目晶格（kagome）材料具有独特的共顶点三角形二维网格，从而呈现几何阻挫、平带、狄拉克交点，范霍夫奇异点、拓扑能带以及子晶格量子干涉效应等特征，孕育了丰富的量子物态。近几年，具有笼目晶格Co3Sn层磁性金属Co3Sn2S2展现出了反常霍尔效应、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻...
中国科学院物理研究所磁近邻诱导的CaRuO3强自旋轨道耦合室温铁磁相（图）
耦合 器件 电子
2025/1/8
利用自旋轨道矩（SOT）将电荷流转换成自旋流从而实现电控磁是自旋电子学的核心问题。目前的SOT器件主要利用的是强自旋轨道耦合（SOC）非磁重金属材料的自旋霍尔效应。自旋霍尔效应要求电荷流传输方向、自旋流传输方向以及自旋极化方向满足相互正交的几何构型。该构型的限制使得对垂直磁矩进行翻转时必须施加额外的面内辅助磁场，从而导致了功耗的增加且制约了器件的小尺寸化。2024年12月16日的理论和实验研究均指...
上海硅酸盐所在Science发表无机非金属材料塑化调控研究进展（图）
无机 金属材料 电子器件
2024/12/23
无机非金属材料因其丰富的结构与功能特性得到了广泛应用，但室温下它们通常表现为脆性，难以像金属一样精准加工、且易突然断裂造成灾难性失效。2024年来，一些具有本征塑性的无机非金属材料陆续被发现，不但拓展了人们对材料的传统认知，而且带来了诸多潜在的颠覆性应用，如柔性与可变形电子器件等，相关研究方向已成为材料领域的前沿与热点。然而，目前具有本征塑性的块体无机非金属材料主要聚焦在Ag基半导体、二维材料、M...
中国科学院微电子所在大区域掩模三维光刻潜像的快速仿真方面取得新进展（图）
电子 三维 仿真
2025/1/14
基于光刻过程物理模型的光刻物理仿真，可预测光刻潜像、光刻胶曝光、显影等结果的三维形貌。相比于基于数据拟合模型的快速仿真方法，光刻物理仿真具备高精度优势，但低效率劣势导致其难以对大区域掩模结构的三维光刻潜像进行快速的仿真和预测。
上海高研院实验证实RuO₂非交变磁特性（图）
电子 器件 薄膜
2024/11/9
交变磁性（altermagnetism）是一种近年来提出的第三类基本磁相，它既有反铁磁体的零净磁场，也具有铁磁体的自旋劈裂现象，而这两者通常被认为是不相容的。由于交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势，这一发现为制造自旋电子器件带来了新的希望和突破口，在磁存储和量子计算中展现出具大的应用前景。
氮化镓基微电子材料与器件（图）
氮化镓基 微电子 材料 器件
2024/10/29
氮化镓（GaN）基微电子材料与器件属于战略性先进电子材料与核心电子器件领域，可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、高铁、智能电网、消费电子等新一代信息产业的发展，具有重大应用前景和市场潜力，也是目前国家重点扶持和发展的战略核心科技与产业领域。半导体研究所是国内最早开展GaN基微电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、示范和带动作用。经过二十余年的自主创新，在GaN基微电子材料与器件领域取得了多项重...
一种散热功率模块（图）
散热 功率模块
2024/10/29
本发明公开一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法。所述方法首先采用丝网印刷工艺在陶瓷基片表面印制一层活性金属焊接层；再在所述活性金属焊接层表 面制备具有不同厚度的金属铜箔；然后采用光刻工艺在所述金属铜箔上刻蚀出电路图形，形成所述陶瓷覆铜电路板。由于本发明采用活性钎焊技术直接获得具有不同金属层厚度的陶瓷覆铜电路板，因此可以避免高功率电力电子模块器件双面封装时需要焊接一层金属垫高层的做法，从而可以避免高温焊料...
一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法（图）
陶瓷覆铜 电路板
2024/10/29
本发明公开一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法。所述方法首先采用丝网印刷工艺在陶瓷基片表面印制一层活性金属焊接层；再在所述活性金属焊接层表面制备具有不同厚度的金属铜箔；然后采用光刻工艺在所述金属铜箔上刻蚀出电路图形，形成所述陶瓷覆铜电路板。由于本发明采用活性钎焊技术直接获得具有不同金属层厚度的陶瓷覆铜电路板，因此可以避免高功率电力电子模块器件双面封装时需要焊接一层金属垫高层的做法，从而可以避免高温焊料难...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在Pt/CrI3异质结构研究中取得新进展（图）
结构 电子 器件
2024/11/11
2024年10月28日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户河南大学王凯教授、康朝阳副教授与中国科学院合肥物质院强磁场科学中心韩玉岩副研究员合作，依托SHMFF物性测试系统，在Pt/CrI3异质结构输运性质研究取得了新进展。该成果于2024年09月30日在国际著名学术出版社Elsevier发行的期刊Applied Surface Science上在线发表。
