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近日，孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队在GaN基衬底调制无铅铁电薄膜的电卡效应研究方面取得重大突破，研究论文以“Pure negative electrocaloric effect achieved by SiN/p-GaN composite substrate”为题被国际顶尖学术期刊《Nano Energy》杂志接收发表。
顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究
GaN基RCLED 高反膜结构DBR 滤波器结构DBR 单纵模发光
2022/3/11
本文在GaN基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR，对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异，详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理。研究结果表明，顶部反射镜是RCLED的重要组成部分，其反射率曲线特征决定器件的光输出性能。常规高反膜结构...
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高电流密度、高开关速度和低导通电阻等优点，受到人们的广泛关注，使得GaN基HEMT器件成为下一代功率器件强有力的竞争者。然而，GaN器件与传统Si基器件不同,很难通过热氧化的方法获得低界面态密度的绝缘介质层。因此，如何降低界面态密度已经成为GaN基器件研究和应用的挑战之一。
越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管（APD）的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态，器件内部载流子在高场下发生碰撞离化，从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾，然后重点报道了器件的增益最大可达3×105，介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系，简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统，并研究了过剩噪声与调制频率之...
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验，分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱，发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM)，说明PSSLEDs具有较高的晶体质量。其次，PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽，而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相...
GaN光电阴极激活后的光谱响应分析
GaN光电阴极 量子效率 表面原子排列
2012/4/16
由于GaN光电阴极的突出性能，其在紫外探测方面有着广泛的应用。文章在超高真空激活系统中，对GaN样品进行了Cs/O激活实验，并分析了激活后反射式的量子效率：在240～350 nm的紫外波段内，量子效率约在30%～10%之间，曲线较为平坦，在240 nm处达到30%的最大值，与国外结果对比后发现，本文获得的GaN光电阴极量子效率在短波段尚有不足。研究了GaN(0001)表面的原子排列，利用3D模拟了...
GaN光电阴极激活后的光谱响应分析
GaN光电阴极 量子效率 表面原子排列
2012/4/17
由于GaN光电阴极的突出性能，其在紫外探测方面有着广泛的应用。文章在超高真空激活系统中，对GaN样品进行了Cs/O激活实验，并分析了激活后反射式的量子效率：在240～350 nm的紫外波段内，量子效率约在30%～10%之间，曲线较为平坦，在240 nm处达到30%的最大值，与国外结果对比后发现，本文获得的GaN光电阴极量子效率在短波段尚有不足。研究了GaN(0001)表面的原子排列，利用3D模拟了...
2010年10月27日，上海光机所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的MgAl6O10、ScAlMgO4单晶，在新型荧光衬底发光结构的白光LED制备上形成一条新的技术路线。
GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究
透射光谱 光散射 消光系数
2009/10/15
利用透射光谱矩阵光学原理，对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上，添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量，拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明：外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度，从而对样品质量作出详细的分析.