搜索结果: 1-14 共查到“无机非金属材料 SiC”相关记录14条 . 查询时间(0.134 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC 蜂窝陶瓷材料
2023/9/8
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种多孔薄壁、高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能高、结构可控的SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法。所述SiC蜂窝陶瓷材料具有连续单一的类似于蜂窝形的整体结构,沿轴向有许多平行的通道,通道的形状可以是三角形、波形等；组成蜂窝结构的单位面积孔数可控制在100～5/cm2之间,孔壁厚度可控制在0.2～2mm之间；孔壁可以为致密结构,也可具有微孔结构；...
中国科学院理化技术研究所专利：一种制备SiC纳米线阵列的方法
磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性
无机非金属材料 磁控溅射 热稳定性
2009/10/16
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜, 研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化. 结果表明, 薄膜主要以非晶为主, 由Si--C键, C--C键和少量Si的氧化物杂质组成; 在真空条件下经高温退火后, 薄膜C--C键的含量减少, 而Si--C键的含量增加, 真空退火有利于SiC的形成; 在800℃空气中退火后, 薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层, 阻止了氧气与薄膜...
添加填料合成SiC(Al)纤维的先驱体聚铝碳硅烷
无机非金属材料 聚铝碳硅烷 SiC纤维
2009/6/4
以聚硅碳硅烷和乙酰丙酮铝为原料, 在反应装置的裂解柱中加入填料,在常压下合成了聚铝碳硅烷. 结果表明: 添加填料使合成聚铝碳硅烷的时间缩短46%,聚铝碳硅烷的 从1008增大到2436, 分子量的分布变窄, ---Si---Si---键的含量低;在N2气氛中, 在400℃以下失重减少, 在1200℃陶瓷的产率从65%提高到69%;加入填料可促进---Si---Si---链转化为---Si---C...
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
无机非金属材料 6H-SiC薄膜 低压CVD
2009/3/12
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用AlN过渡层,制备出结晶质量更好的Si...
真空烧结SiC多孔陶瓷的组织与性能
无机非金属材料 多孔碳化硅陶瓷 微组织
2009/1/23
以SiC为主要原料, 以羧甲基纤维素(CMC)为造孔剂,分别以Al2O3-Y2O3和Al2O3-高岭土为烧结助剂,在1550℃真空烧结制备出孔洞均匀的SiC多孔陶瓷, 研究了造孔剂和烧结助剂对其抗折强度和抗弯强度的影响. 结果表明：随着造孔剂用量的增加,气孔率和线收缩率提高, 抗折强度下降.对于经预氧化处理以Al2O3-Y2O3为助烧剂的样品,因发生低温液相反应烧结, 其结构致密, 气孔率较小, ...
SiC陶瓷连接的研究进展
SiC 连接
2009/1/9
综述了不同种类的SiC陶瓷（含纤维强化的SiC陶瓷）与SiC陶瓷以及SiC陶瓷与金属连接的发展状况，介绍了主要连接方法、连接工艺、连接强度、反应产物等。
钟罩式中频感应SiC晶体生长炉研制成功
半钟罩 SiC晶体
2008/10/7
2008年9月26日，中国科学院计划财务局组织专家验收组对中国科学院上海硅酸盐所承担的“‘半钟罩’式中频感应SiC晶体生长炉研制项目”进行了验收。项目验收组认为，该项目完成了合同书规定的任务，达到了各项验收指标，经费使用合理，一致通过验收。
为了提高科研装备的自主创新能力，促进原始性科技创新成果的产出，中国科学院每年安排专项经费用于支持科研装备项目。“‘半钟罩’式中频感应SiC晶体生长炉研...
摘要 Al2O3-SiC W 材料通过在高温下发生氧化反应, 生成物所引起的体积膨胀对裂纹处的填充迁移, 使裂纹产生愈合现象. 动力学分析表明: Al2O3-SiC W材料裂纹愈合速度为- Cv/t=(2πC2v0·ΔP+F)/(2πB0Cv)·1/2·(k/t)1/2, 强度恢复由下式计算σf/σf0=[1-(2πC2v0·ΔP+F)/(πB0C2v0)·k1/2·t1/2]-1/4, 与Al...
凝胶浇注成型制备致密 SiC陶瓷材料
2007/12/12
摘要 采用一种凝胶浇注成型预配液作为陶瓷粉体的分散介质, 将亚微米级SiC粉体和烧结助剂Y2O 3、 Al2O3直接混合, 制得了固含量>50vol%的凝胶浇注浆料, 在100s -1 的剪切速率下, 浆料粘度<1Pa．s, 可以顺利实现凝胶浇注成型; 对得到的SiC素坯进行了无压烧结. 在2000℃保温1h(氩气氛)的烧结条件下, 烧结体相对密度为(98.1± 0.2)%, 抗折强度、硬度和韧性...
原位生成B4C/SiC复合炭材料及其氧化行为的研究
2007/7/28
奖励信息
奖励名称
原位生成B4C/SiC复合炭材料及其氧化行为的研究
完成人
成会明，张伟刚
完成单位
推荐单位
授奖机构
授奖日期
年
月
日
奖励种类
中国电工学会
奖励等级
奖励编号
相关项目
自愈合抗氧化碳质复合材料及其愈合机制的研究
山东大学大直径SiC单晶研究获突破
山东大学 晶体材料 SiC单晶
2007/5/21
光明日报2007年5月17日讯 近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用（epi-ready）”的水平，与合作单位在SiC衬底上制备的微波GaN/AlGaNHEMT器件的输出功率密度达到5.5W/mm的水平，这是国产SiC半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件，实现了从SiC单晶到外延生...