搜索结果: 1-10 共查到“材料合成与加工工艺 SiC”相关记录10条 . 查询时间(0.047 秒)
激光照射SiC纳米颗粒原位生成SiC晶须
材料合成与加工工艺 SiC晶须 激光照射
2009/2/11
以激光为热源, 以SiC纳米颗粒材料为前驱体, 用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须.
结果表明: 由于激光能量输出的瞬时特性, SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须.
随着激光功率的提高, 晶须的直径从纳米级增大到微米级. 由于在激光光斑内能量呈高斯分布,
光斑内不同区域的SiC颗粒的温度不同, 致使生成的晶须形态在不同的区域分别呈现为团絮状、
网状和棒状等. X射线衍射分析...
SiC晶须（或颗粒）增强铝基复合材料精密加工技术研究
复合材料 SiC晶须铝基 刀具
2008/11/7
该研究找到了该种材料精密切削加工的特殊规律及工艺方法，曾加工出长1500mm、直径30mm、壁厚4.5mm的空心M30×3.5螺杆，并已成功用于某型号通讯卫星天线的展开机构上，还完成了惯导平台复杂结构件的精密加工以及激光成象器构件等20多种零件的精密加工（包括车、铣、钻及内外螺纹加工），是国内金属基复合材料精密加工的最早探索者与实践者。
球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察
球磨 扩散 非晶晶化
2008/11/3
在室温条件下, 球磨Ｓｉ, Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ, 采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该尖过程, 高分辨像表明, 在球磨过程中首先形成非晶Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶Ｓ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ）, 为合成ＳｉＣ提供了适宜条件. ＳｉＣ的合成主要是通过Ｃ原子向ａ－Ｓｉ及ｃ－Ｓｉ的扩散, 对于前者, 形成非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ）, 然后机械力诱使非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ）的晶化, 形成销大尺寸的...
ABS塑料磨头上电镀Ni-SiC复合镀层工艺
2007/12/25
介绍了在ABS塑料磨头上电镀Ni-SiC复合镀层的新工艺.拓展了ABS塑料的应用范围,将塑料的质轻、易加工和SiC微粒的高硬度、强磨削力结合起来,获得的复合镀层结合力好,硬度高,耐磨性强.并已成功应用到生产中,创造了良好的经济效益.
机械活化燃烧合成SiC粉体的研究
2007/12/13
摘要 以硅粉和碳黑为初始原料, 通过机械活化和化学活化预处理, 实现了Si-C体系在较低温度下燃烧合成SiC. 采用XRD、SEM和EDS等手段, 分析了合成产物的相组成和微观结构特征. 结果表明: 机械活化预处理可使燃烧反应诱发温度降低至1050℃, 合成SiC粉体的比表面积为4.36 m2/g, 平均粒径<5μm.
反应温度对热化学气相合成法制备纳米SiC粉的影响
热化学气相合成 温度 纳米SiC粉末
2007/10/26
文章摘要：
介绍了通过热化学气相合成法制备的纳米SiC粉末, 颗粒呈球形, 尺寸分布窄, 少团聚, 最小尺寸约9nm. 探讨了反应温度对制得的纳米粉末颗粒度及组成的影响. 结果表明: 提高反应温度, 则颗粒尺寸与晶粒尺寸均增大, 粉末的生成愈完全, 且几乎全部为β相.
3D碳纤维预制体中料浆浸渗引入SiC微粉工艺研究
3D碳纤维预制体 料浆浸渗法 SiC微粉
2013/10/8
为了在厚度为10mm的3D碳纤维预制体中大量引入SiC微粉,在料浆不变的基础上采用真空浸渗法、加压浸渗法、加压过滤法、真空吸滤法等四种料浆浸渗法进行试验,并对引入微粉的量及其分布进行分析对比。结果表明,对于含1mSiC微粉4vol%的料浆,加压过滤法效果最佳,3次浸渗即能引入27.4vol%的SiC微粉,SiC微粉均匀致密填充。
采用真空浸渍法在碳纤维编织物中预先引入SiC微粉,以缩短先驱体浸渍裂解制备碳纤维三维编织物(3D-BCf)增强SiC陶瓷基复合材料的制备周期,考察了微粉粒度、浆料SiC/无水乙醇(EtOH)质量比等参数对引入SiC微粉体积分数的影响。结果表明,当SiC微粉粒度为0.4μm,浆料SiC/EtOH质量比为1:1和1:2时真空浸渍效果较佳,在碳纤维编织物中引入SiC微粉的体积分数可达10%左右,缩短了先...
浸渍工艺对先驱体转化制备Cf/SiC复合材料结构与性能的影响
Cf/SiC复合材料 密度 聚碳硅烷 弯曲强度 高温性能
2013/10/11
以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-BCf/SiC复合材料,研究了不同浸渍工艺对材料力学性能的影响。结果表明:采用加热加压浸渍可以大大提高先驱体的浸渍效率,提高所制备材料的密度,从而明显提高Cf/SiC复合材料的力学性能。选用加热加压浸渍条件所制备的材料密度达到1.944g/cm3,室温弯曲强度达到662MPa,在1650℃(真空)和1800℃(真空)下测试,材料的弯曲强...