搜索结果: 1-14 共查到“工学 EUV”相关记录14条 . 查询时间(0.04 秒)
北京大学高鹏团队突破电镜技术 助力国产EUV光刻机（图）
四维电子能量损失谱技术 EUV光刻机 芯片 电镜技术
2022/4/11
北京大学量子材料科学中心高鹏研究组基于扫描透射电子显微镜发展了四维电子能量损失谱技术，突破了传统谱学手段难以在纳米尺度表征晶格动力学的局限，首次实现了半导体异质结界面处局域声子模式的测量，近日更是被《半导体学报》列为2021年度中国半导体十大研究进展。这项科技成果的诞生，不仅是我国高端科学仪器领域的一个重要突破，更为实现国产EUV光刻机、掌握芯片核心技术、攻克国产半导体核心技术壁垒增添了动力。四维...
中科院研发新型激光光刻技术：不用EUV 直击5nm（图）
激光光刻技术 半导体光刻 激光直写
2021/9/2
半导体光刻最重要的指标是光刻分辨率，它跟波长及数值孔径NA有关，波长越短、NA越大，光刻精度就越高，EUV光刻机就是从之前193nm波长变成了13.5nm波长的EUV极紫外光，而NA指标要看物镜系统，ASML在这方面靠的是德国蔡司的NA=0.33的物镜，下一代才回到NA=0.55的水平。
2017SPIEX射线/EUV光学器件进展专题会议（Advances in X-Ray/EUV Optics and Components XII）
2017 SPIEX 射线/EUV光学器件进展 专题会议
2017/4/25
2017SPIEX射线/EUV光学器件进展专题会议（Advances in X-Ray/EUV Optics and Components XII）。
2017SPIEX射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）
2017 SPIEX 射线和EUV光学计量学进展 专题会议
2017/4/25
2017SPIEX射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）。
2017 SPIE X射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）
2017 SPIE X射线 EUV光学计量学进展 专题会议
2017/4/25
Conference Sessions:1: At-Wavelength Metrology ;2: Metrology of VLS Gratings Technology Hot Topics: How Optics and Photonics Drive Innovation ;3: Calibration and Nanoradian Metrology ;4: Metrology Fac...
中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合室实验室张军勇课题组首次将古希腊梯子映射到纳米结构中，以解析的数学形式完整描述了三维阵列焦点成像的方法，通过数论解决了结构设计的初始化问题。
为了提高极紫外(EUV)光子计数成像仪的分辨率,分析了EUV成像仪系统WSZ阳极(Wedge Strip Zigzag anode)不同条带间的极间串扰以及非目标能量区间内信号触发产生的伪信号对图像质量的影响。讨论了串扰产生的原因,通过测量极间电容,找到了串扰系数所在的范围,并最终确定最优值;使用该系数对不同能量范围内的光子进行处理,确定了合适的能量区间(上下限)。在设定的能量区间重新成像并与原图...
为了提高极紫外(EUV)光子计数成像仪的分辨率,分析了EUV成像仪系统WSZ阳极(Wedge Strip Zigzag anode)不同条带间的极间串扰以及非目标能量区间内信号触发产生的伪信号对图像质量的影响。讨论了串扰产生的原因,通过测量极间电容,找到了串扰系数所在的范围,并最终确定最优值;使用该系数对不同能量范围内的光子进行处理,确定了合适的能量区间(上下限)。在设定的能量区间重新成像并与原图...
EUV is hot topic at SPIE Advanced Lithography 2011（图）
SPIE EUV Advanced Lithography semiconductor industry
2011/4/21
First noted in 1965, Moore's law describes the trend of increasing computer technology, which has continued for more than 50 years and is expected to keep going for decades more in the semiconductor i...
Laser Produced Plasma for EUV Light Source For Lithography
EUV light Laser produced plasma Light source for tin and xenon plasma
2009/6/8
We describe properties of laser produced plasmas (LPP) for extreme ultra violet (EUV) light source for next generation lithography as an industrial application of LPP. We briefly present three topics ...
Modeling of the Atomic Processes and Photo Emission of the Plasmas for the EUV Source
Laser produced plasmas EUV Atomic process
2009/6/1
A study of the coefficient of radiative transfer of Sn plasmas for the extreme ultra-violet (EUV) light source is presented. The atomic data of near 10 times ionized Sn ions are calculated using the H...
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光，EUV将用于22nm以下工艺
台积电 工艺 曝光技术
2011/11/4
据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波...
台积电将EUV列入光刻线路图
台积电 光刻 线路图
2011/11/3
日前，台积电（TSMC)在其2008年技术论坛会议上，简要描述了该公司光刻线路图（Lithography Roadmap)，作为计划的一部分，TSMC对极紫外光刻技术进行了新的评估，并将其纳入光刻线路图。
Metrology of Mo/Si multilayer mirrors at 13.5 nm with the use of a laser-produced plasma extreme ultraviolet (EUV) source based on a gas puff target
laser-produced plasma extreme ultraviolet (EUV) source
2011/5/3
In this paper an application of a recently developed laser plasma source of extreme ultraviolet (EUV) for optical measurements of optical characteristics of Mo/Si multilayer mirrors is presented. The ...