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拟南芥(Arabidopsis thaliana)氮、碳离子注入诱变效应分析
低能离子注入(Low energy ion implantation) 拟南芥(Arabidopsis thaliana) 离子诱变(Ion induced mutagenesis)
2008/5/19
采用N+、 C+离子注入拟南芥(Arabidopsis thaliana)种子,统计了种子的发芽指数(发芽率和发芽势);用改良的RAPD技术对N+离子注入种子植株的DNA进行11个引物的随机片段多态性扩增。结果表明,合适剂量的N+、 C+离子注入可使种子发芽率提高, 两种离子注入种子的发芽率峰值(分别为92.3%和74.4%)都在5×1014 ions/cm2; 分析N+离子注入材料发现,在1×1...