搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1274条 . 查询时间(2.14 秒)
中国科学院半导体所可重构异质结光电晶体管的三维信息感知系统研制取得新进展（图）
半导体 晶体 三维信息 系统
2025/1/14
2025年来三维信息感知在机器视觉、深空成像以及医疗诊断方面具备广泛的应用前景，包含物体深度信息的三维信息感知能够更加全面地感知物体的形态与光学特征。然而三维感知系统通常需要额外集成主动式光源或者被动式多目相机，通过记录光子飞行时间或者通过结构光衍射、相位分布以及多角度反射，实现深度维度的感知与重构，这将导致成像系统面临集成复杂以及高成本制备等挑战，制约了三维成像系统的微型集成化发展。
中国科学院微电子所在超宽带低噪声集成电路设计领域取得新进展（图）
电子 集成电路 智能
2025/1/14
2025年1月13日，微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。微弱信号处理链路对噪声极为敏感，低噪声放大器作为信号链路的关键元器件，决定了微弱信号的检测灵敏度。传统的低噪声芯片受晶体管的增益滚降、噪声和带宽相互制约的影响，导致各类系统的灵敏度和带宽无法满足信号多样性要求。同时，当电路长期工作在低温环境时，放大器的不稳定性加剧，导致系统可靠性降低。
中国科学院单个激光腔中实现高性能单模激光输出
激光 高性能 集成电路
2024/12/20
2024年12月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员张龙与董红星团队，联合湖南大学和南京航空航天大学的研究人员，在激光模式调控技术研究方面取得进展。该团队通过选择性模式结构破缺这一创新方法，在单个激光腔中实现了高性能单模激光输出。相关研究成果以Single-Mode Lasing by Selective Mode Structure Breaking为题，发表在《先进功能材料》（Adv...
中国科学院科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂（图）
聚合物 半导体 集成电路
2024/12/8
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工，可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。目前，可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是，发展高效的化学交联剂至关重要。
中国科学院化学研究所张德清课题组在聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展（图）
张德清 聚合物 半导体
2024/12/4
高迁移率聚合物半导体的设计合成已经取得很大进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临很多困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。可控光化学交联技术是一种与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式，其中发展高效的化学交联剂至关重要。目前，简单高效的交联剂种类有限，交联体系的迁移率、灵敏度、对比度、集成...
国家自然科学基金委员会武大何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件研究方面取得进展（图）
何军 器件 集成电路
2024/12/3
2024年11月19日，《自然·材料》（Nature Materials）在线发表了武汉大学物理科学与技术学院何军教授课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。武汉大学物理科学与技术学院尹蕾研究员、程瑞清副教授和...
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在高迁移率二维半导体中观测到分数量子霍尔效应（图）
二维半导体 观测 量子
2024/11/11
2024年11月4日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户辽宁材料实验室和山西大学等合作者利用SHMFF所属水冷磁体WM5，在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了新进展，该成果在线发表于Nature Electronics。
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
分子内非共价相互作用能够锁定平面构象，显著提升共轭骨架的共平面性和刚性，进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用，并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止，尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
中国科学院物理研究所二维半导体Cr8Se12的合成和类笼目能带的实验观测（图）
二维半导体 合成 观测
2024/11/4
材料的电子结构受其几何结构和材料维度的影响。一些具有特殊几何构型的晶格，如笼目晶格、Lieb晶格、着色三角晶格等，具有电子阻挫效应产生的无色散的能带，即平带，其中存在丰富的电子关联效应。最近，人们在三维笼目金属中已经观察到多种关联电子态，例如巨大的反常霍尔效应、量子自旋液体、手性电荷密度波和非常规超导等。另一方面，与半导体工业中常用的三维半导体相比，二维半导体由于良好的开关性能和更强的库仑相互作用...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TMTT杂志发表2项新研究成果（图）
方小虎 TMTT杂志 毫米波 放大器
2024/10/24
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授方小虎团队在线性毫米波GaN单片集成Doherty功率放大器和宽带无开关G类放大器研究领域中取得进展，相关研究成果分别以“A Linear Millimeter-Wave GaN MMIC Doherty Power Amplifier With Improved AM-AM and AM-PM Characteristics”和“Switchless Cl...
近日，2024年VLSI Symposium在夏威夷州檀香山市Hilton Hawaiian Village酒店举行。该研讨会展示了最新的VLSI技术成果、创新的电路设计及其支持的应用，如人工智能、机器学习、物联网、可穿戴/可植入生物医学应用、大数据、云/边缘计算、虚拟现实(VR)/增强现实(AR)、机器人和自动驾驶汽车。南科大深港微电子学院潘权课题组在2024年VLSI Symposium上发表...
